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壓敏電壓和電阻器厚度的關(guān)系：

對ZnO壓敏電阻器，加在每晶界上的電壓約為3.5V，所以當(dāng)晶粒大小一定時(shí)，壓敏電阻器越厚，壓敏電壓越高，關(guān)系如下：

U=UgbNgt , E0.5=U/t

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壓敏電壓U1mA

壓敏電阻的電流為1mA時(shí)所對應(yīng)的電壓作為I隨U迅速上升的電壓大小的標(biāo)準(zhǔn)，該電壓用U1mA表示，稱為壓敏電壓。壓敏電壓是ZnO壓敏電阻器伏安曲線中預(yù)擊穿區(qū)和擊穿區(qū)轉(zhuǎn)折點(diǎn)的一個(gè)參數(shù)，一般情況下是一般情況下是1mA（Φ5 產(chǎn)品為0.1mA）直流電流通過時(shí)，產(chǎn)品的兩端的電壓值，其偏差為±0.1%。

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